STP9NB60
STP9NB60FP
N - 频道 600V - 0.7
Ω
- 9A 至-220/to220fp
PowerMESH
场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 0.7
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
非常 低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
门 承担 使减少到最低限度
描述
使用 这 最新的 高 电压 MESH OVERLAY
处理, 意法半导体 有 设计 一个
先进的 家族 的 电源 MOSFETs 和
优秀的 performances. 这 新 专利权
pending strip 布局 结合 和 这 Company’s
专卖的 边缘 末端 结构, 给 这
最低 rds(在) 每 范围, exceptional avalanche
和 dv/dt 能力 和 unrivalled 门 承担
和 切换 特性.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
转变 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-交流 转换器 为 WELDING
设备 和 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 和 发动机 驱动
内部的 图式 图解
January 2000
至-220 至-220fp
1
2
3
1
2
3
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
STP9NB60 STP9NB60FP
V
DS
流-源 电压 (V
GS
=0) 600 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
600 V
V
GS
G一个te-所以urce Voltage
±
30 V
I
D
流 电流 (continuous) 在 T
c
=25
o
c9.09.0(*)一个
I
D
流 电流 (continuous) 在 T
c
=100
o
c5.75.7(*)一个
I
DM
(
•
) 流 电流 (pulsed) 36 36 一个
P
tot
总的 消耗 在 T
c
=25
o
C 125 40 W
Derating 因素 1.0 0.32 W/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4.5 4.5 v/ns
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流)
2000 V
T
stg
存储 温度 -65 至 150
o
C
T
j
最大值 Operating Junction Temperature 150
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
)i
SD
≤
9a, di/dt
≤
200 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,tj
≤
T
JMAX
(
*)
限制 仅有的 用 最大 温度 允许
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP9NB60
STP9NB60FP
600 V
600 V
<0.8
Ω
<0.8
Ω
9.0 一个
9.0 一个
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