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1998©
文档 非. d16131ej3v0ds00
日期 发行 april 2002 n cp(k)
打印 在 日本
硅 电源 晶体管
2SB601
pnp 硅 外延的 晶体管 (darlington 连接)
为 低-频率 电源 放大器 和 低-速 切换
数据 薄板
2002
特性
• 高-直流 电流 增益 预定的 至 darlington 连接
• 低 集电级 饱和 电压
• 低 集电级 截止 电流
• 完美的 为 使用 在 直接 驱动 从 ic 输出 为 磁铁 驱动器 此类
作 treminal 设备 或者 cash 寄存器
绝对 最大 比率 (ta = 25
°
°°
°
c)
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
−
100
V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
−
100
V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
−
7.0
V
集电级 电流 I
c(直流)
–
+
5.0
一个
集电级 电流 I
c(脉冲波)
*
–
+
8.0
一个
根基 电流 I
b(直流)
−
0.5
一个
总的 电源 消耗
P
T
(ta = 25
°
c)
1.5 W
总的 电源 消耗
P
T
(tc = 25
°
c)
30 W
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至 +150
°
C
*PW
≤
10 ms, 职责 循环
≤
50%
包装 绘画 (单位: mm)
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