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资料编号:160666
 
资料名称:BAS70-04
 
文件大小: 76.11K
   
说明
 
介绍:
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BAS70-04的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
:
s, 职责 循环
#
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
:
s, schaltverhältnis
#
2%
1
2.5
最大值
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
类型
代号
1.9
bas70 ...-04 ...-05 ...-06 肖特基-二极管
肖特基-屏障 einzel-/ doppel-dioden
für 消逝 oberflächenmontage
版本 2004-04-09
电源 消耗 310 mw
Verlustleistung
repetitive 顶峰 反转 电压 40 v
periodische spitzensperrspannung
塑料 情况 sot-23
Kunststoffgehäuse (至-236)
重量 approx. – gewicht ca. 0.01 g
维度 / maße 在 mm
标准 包装 带子系紧 和 卷盘
标准 lieferform gegurtet auf rolle
最大 比率 (t
一个
= 25
/
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
/
c)
每 二极管 / pro 二极管
bas70-序列
电源 消耗 – verlustleistung P
tot
310 mw
1
)
最大值 平均 向前 电流 (直流)
Dauergrenzstrom
I
FAV
200 毫安
1
)
repetitive 顶峰 向前 电流
periodischer spitzenstrom
I
FRM
300 毫安
1
)
顶峰 向前 surge 电流 t
p
#
1 s
stoßstrom-grenzwert
I
FSM
500 毫安
repetitive 顶峰 反转 电压
periodische spitzensperrspannung
V
RRM
70 v
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150
/
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 55…+ 150
/
C
特性 (t
j
= 25
/
c) kennwerte (t
j
= 25
/
c)
向前 电压 - durchlaßspannung
2
)i
F
= 1 毫安
I
F
= 15 毫安
V
F
V
F
< 410 mv
< 1000 mv
泄漏 电流 - sperrstrom
2
)v
R
= 50 v I
R
< 100 na
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