©2003 仙童 半导体 公司 rev. 一个, 8月 2003
BC182B
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 50 V
V
CBO
集电级-根基 电压 60 V
V
EBO
发射级-根基 电压 6 V
I
C
集电级 电流 - 持续的 100 毫安
T
j,
T
STG
存储 接合面 温度 范围 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 2ma, i
B
= 0 50 V
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0 60 V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0 6 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= 50v, v
是
= 0 15 nA
I
EBO
发射级-根基 泄漏 电流 V
EB
= 4v, i
E
= 0 15 nA
在 特性
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 10
µ
一个
V
CE
= 5v, i
C
= 100ma
40
80
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10ma, i
B
= 0.5ma
I
C
= 100ma, i
B
= 5ma
0.25
0.6
V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 100ma, i
B
= 5ma 1.2 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
= 5v, i
C
= 2ma 0.55 0.7 V
动态 特性
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 5v, i
C
= 10ma, f = 100mhz 150 MHz
C
ob
输出 电容 V
CE
= 10v, i
C
= 0, f = 1mhz 5 pF
h
fe
小 信号 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 2ma, f = 1khz 240 500
NF 噪音 图示 V
CE
= 5v, i
C
= 0.2ma
R
S
= 2k
Ω
, f = 1khz, bw = 200hz
10 dB
BC182B
npn 一般 目的 放大器
• 这个 设备 是 设计 为 一般 目的 放大器 应用 在
集电级 电流 至 100ma.
• sourced 从 处理 10.
1. 集电级 2. 根基 3. 发射级
至-92
1
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