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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
一般 目的 晶体管
npn 硅
最大 比率
比率 标识 值 单位
集电级–发射级 电压 V
CEO
32 Vdc
集电级–根基 电压 V
CBO
32 Vdc
发射级–根基 电压 V
EBO
5.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
100 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr–5 板
(1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的
R
q
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质,
(2)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 接合面 至 包围的
R
q
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
设备 标记
bcw60alt1 = aa, bcw60blt1 = ab, bcw60dlt1 = ad
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级–发射级 损坏 电压
(i
C
= 2.0 madc, i
E
= 0)
V
(br)ceo
32 — Vdc
发射级–根基 损坏 电压
(i
E
= 1.0
m
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
5.0 — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 32 vdc)
(v
CE
= 32 vdc, t
一个
= 150
°
c)
I
CES
—
—
20
20
nAdc
µ
模数转换器
发射级 截止 电流
(v
EB
= 4.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
— 20
nAdc
1. FR–5 = 1.0
0.75
0.062 在.
2. alumina = 0.4
0.3
0.024 在. 99.5% alumina.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
顺序 这个 文档
用 bcw60alt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
BCW60ALT1
BCW60BLT1
BCW60DLT1
1
2
3
情况 318–08, 样式 6
SOT–23 (至 – 236ab)
motorola, 公司 1996
集电级
3
1
根基
2
发射级