br5000 - br5010
硅 桥 整流器
prv : 50 - 1000 伏特
io : 50 amperes
特性 :
* 高 情况 dielectric 力量
* 高 surge 电流 能力
* 高 可靠性
* 高 效率
* 低 反转 电流
* 低 向前 电压 漏出
机械的 数据 :
* 情况 : 模塑的 塑料 和 散热器 integrally
挂载 在 这 桥 封装
* 环氧的 : ul94v-o 比率 flame retardant
* terminals : 镀有 .25" (6.35 mm). faston
* 极性 : 极性 symbols marked 在 情况
* 挂载 位置 : bolt 向下 在 热温-下沉 和
silicone 热的 复合 在 桥
和 挂载 表面 为 最大 热温
转移 效率.
* 重量 : 17.1 grams
最大 比率 和 电的 特性
比率 在 25
°
c 包围的 温度 除非 否则 指定.
单独的 阶段, half 波, 60 hz, resistive 或者 inductive 加载.
为 电容的 加载, 减额 电流 用 20%.
标识 BR5000 BR5001 BR5002 BR5004 BR5006 BR5008 BR5010
单位
最大 recurrent 顶峰 反转 电压 VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 伏特
最大 rms 电压 VRMS 35 70 140 280 420 560 700 伏特
最大 直流 blocking 电压 V直流 50 100 200 400 600 800 1000 伏特
最大 平均 向前 电流 tc = 55
°
C
If(av) 50 放大器.
顶峰 向前 surge 电流 单独的 half sine 波
superimposed 在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法) IFSM 500 放大器.
电流 squared 时间 在 t < 8.3 ms.
I
2
t
660
一个
2
S
最大 向前 电压 每 二极管 在 iF=25 放大. VF 1.1 伏特
最大 直流 反转 电流 ta = 25
°
C
IR 10
µ
一个
在 评估 直流 blocking 电压 ta = 100
°
C
Ir(h) 200
µ
一个
典型 热的 阻抗 (便条 1)
R
θ
JC
1.0
°
c/w
运行 接合面 温度 范围 TJ - 40 至 + 150
°
C
存储 温度 范围 TSTG - 40 至 + 150
°
C
注释 :
1 ) 热的 阻抗 从 接合面 至 情况 和 单位 挂载 在 一个 9"x5"x4.6" (22.9x12.7x11.7 cm) al-finned heatsink.
更新 : 六月 2, 1999
比率
电话. : (66 2) 326-0102, 739-4580 fax. : (66 2) 326-0933 e-mail : eicfirst @ iname.com http. : // www.eicsemi.com
electronics 工业 (usa) co., 有限公司.
103 moo 4, latkrabang export 处理 zone, latkrabang, bangkok 10520, 泰国
metal 散热器
维度 在 英寸 和 ( 毫米 )
BR50
φ
0.728(18.50)
0.688(17.40)
0.570(14.50)
0.530(13.40)
0.685(16.70)
0.618(15.70)
1.130(28.70)
1.120(28.40)
0.210(5.30)
0.200(5.10)
0.658(16.70)
0.618(15.70)
0.032(0.81)
0.028(0.71)
0.252(6.40)
0.248(6.30)
0.905(23.0)
0.826(21.0)
0.100(2.50)
0.090(2.30)
0.310(7.87)
0.280(7.11)
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