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资料编号:180669
 
资料名称:BSP125
 
文件大小: 119.23K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-02-26
页 1
rev. 1.0
BSP125
SIPMOS
电源-晶体管
产品 summary
V
DS
600 V
R
ds(在)
45
I
D
0.12 一个
特性
n-频道
增强 模式
逻辑 水平的
d
v
/d
t
评估
sot-223
标记
BSP125
类型 包装 订货 代号 录音带 和 卷轴 信息
BSP125
sot-223 q62702-s654
最大 比率
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 单位
持续的 流 电流
T
一个
=25°C
T
一个
=70°C
I
D
0.12
0.1
一个
搏动 流 电流
T
一个
=25°C
I
d puls
0.48
反转 二极管 d
v
/d
t
I
S
=0.12a,
V
DS
=480v,d
i
/d
t
=200a/µs,
T
jmax
=175°C
d
v
/d
t
6 kv/µs
门 源 电压
V
GS
±20
V
静电释放 敏锐的 (hbm) 作 每 mil-标准 883 类 1
电源 消耗
T
一个
=25°c,
T
一个
=25
P
tot
1.8 W
运行 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-55... +150
°C
iec climatic 类别; din iec 68-1 55/150/56
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