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半导体 组 1 02/12/1996
bsp 300
SIPMOS
®
小-信号 晶体管
• n 频道
• 增强 模式
• avalanche 评估
•
V
gs(th)
= 2.0... 4.0 v
管脚 1 管脚 2 管脚 3 管脚 4
G D S D
类型
V
DS
I
D
R
ds(在)
包装 标记
bsp 300 800 v 0.19 一个 20
Ω
sot-223 bsp 300
类型 订货 代号 录音带 和 卷轴 信息
bsp 300 q67050 -t0009 E6433
bsp 300 q67050-t0017 E6327
最大 比率
参数 标识 值 单位
持续的 流 电流
T
一个
= 25 °c
I
D
0.19
一个
直流 流 电流, 搏动
T
一个
= 25 °c
I
Dpuls
0.76
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
= 0.8 一个,
V
DD
= 50 v,
R
GS
= 25
Ω
L
= 105 mh,
T
j
= 25 °c
E
作
36
mJ
门 源 电压
V
GS
±
20 V
电源 消耗
T
一个
= 25 °c
P
至t
1.8
W

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半导体组 1 02/12/1996 bsp 300 SIPMOS ® 小-信号晶体管 • n 频道 • 增强模式 • avalanche 评估 • V gs(th) = 2.0... 4.0 v 管脚 1 管脚 2 管脚 3 管脚 4 G D S D 类型 V DS I D R ds(在) 包装标记 bsp 300 800 v 0.19 一个 20 Ω sot-223 bsp 300 类型订货代号录音带和卷轴信息 bsp 300 q67050 -t0009 E6433 bsp 300 q67050-t0017 E6327 最大比率参数标识值单位持续的流电流 T 一个 = 25 °c I D 0.19 一个直流流电流, 搏动 T 一个 = 25 °c I Dpuls 0.76 avalanche 活力, 单独的脉冲波 I D = 0.8 一个, V DD = 50 v, R GS = 25 Ω L = 105 mh, T j = 25 °c E 作 36 mJ 门源电压 V GS ± 20 V 电源消耗 T 一个 = 25 °c P 至t 1.8 W

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