2004-03-05
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HITFET
ii.一代 bts 142 d
smart lowside 电源 转变
产品 summary
流 源 电压
V
DS
42 V
在-状态 阻抗
R
ds(在)
28 m
名义上的 加载 电流
I
d(nom)
4.6 一个
夹紧 活力
E
作
3.5 J
特性
逻辑 水平的 输入
输入 保护 (静电释放)
热的 关闭 和
自动 重新开始
超载 保护
短的 电路 保护
超（电）压 保护
电流 限制
相似物 驱动 可能
p-to252-3-11
应用
所有 种类 的 resistive, inductive 和 电容的 负载 在 切换
或者 直线的 产品
µc 兼容 电源 转变 为 12 v 直流 产品
替代 electromechanical 接转 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 在 smart sipmos
技术. 全部地 保护 用 embedded
保护 功能.
门-驱动
单位
静电释放
超载
保护
在-
温度
保护
短的 电路
保护
超（电）压-
保护
电流
限制
M
V
bb
在
源
流
HITFET
管脚 1
管脚 2 和 4 (tab)
管脚 3
完全 产品 spectrum 和 额外的 信息 http://www.infineon.com/hitfet
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