2004-01-27
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bts 452 r
smart 电源 高-一侧-转变
特性
•
超载 保护
•
电流 限制
•
短的 电路 保护
•
热的 关闭 和 重新开始
•
超（电）压 保护
(包含 加载 丢弃)
•
快 demagnetization 的 inductive 负载
•
反转 电池 保护
和 外部 电阻
•
打开 流 diagnostic 输出 为 overtemperature
和 短的 电路
•
打开 加载 发现 在 止 - 状态
和 外部 电阻
•
cmos 兼容 输入
•
丧失 的 地 和 丧失 的
V
bb
保护
•
静电释放 - 保护
•
非常 低 备用物品 电流
产品 summary
超（电）压 保护
V
bb(az)
62 V
运行 电压
V
bb(在)
6...52 V
在-状态 阻抗
R
在
200 m
Ω
名义上的 加载 电流
I
l(iso)
1.8 一个
p-to252-5-11
应用
•
所有 类型 的 resistive, inductive 和 电容的 负载
•
µc 兼容 电源 转变 为 12 v, 24 v 和 42 v 直流 产品
•
替代 electromechanical 接转 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 和 承担 打气, 地面 关联 cmos 兼容 输入
和 diagnostic 反馈, monolithically 整体的 在 smart sipmos
技术.
供应 embedded protective 功能.
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