p-dso-28-14
数据 薄板 1 2001-02-01
TrilithIC
数据 薄板
BTS 7700 G
1Overview
1.1 特性
• 四方形 d-mos 转变 驱动器
• 自由 configurable 作 桥 或者 四方形-转变
• 优化 为 直流 发动机 管理 产品
•Low
R
DS 在
: 110 m
τ
高-一侧 转变, 90 m
τ
低-
一侧 转变 (典型 值 @ 25
c)
• 最大 顶峰 电流: 典型值 9 一个 @ 25
C
=
• 非常 低 安静的 电流: 典型值 5
←
一个 @ 25
C
=
• 小 外形, 增强 电源 p-dso-包装
• 加载 和 地-短的-电路-保护
• 运作 向上 至 40 v
• 状态 标记 diagnosis
• overtemperature shut 向下 和 hysteresis
• 内部的 clamp 二极管
• 分开的 来源 为 外部 电流 感觉到
• 下面-电压 发现 和 hysteresis
• pwm 发生率 向上 至 50 khz
1.2 描述
这
BTS 7700 G
是 部分 的 这
TrilithIC
家族 containing 三 dies 在 一个 包装:
一个 翻倍 高-一侧 转变 和 二 低-一侧 switches. 这 drains 的 这些 三
vertical dmos 碎片 是 挂载 在 separated leadframes. 这 来源 是 连接
至 单独的 管脚, 所以 这
BTS 7700 G
能 是 使用 在 h-桥- 作 好 作 在 任何 其它
配置. 这 翻倍 高-一侧 是 制造的 在
smart sipmos
®
技术
这个 结合 低
R
DS 在
vertical dmos 电源 stages 和 cmos 控制 电路系统.
这 高-一侧 转变 是 全部地 保护 和 包含 这 控制 和 diagnosis 电路系统.
至 达到 低
R
DS 在
和 快 切换 效能, 这 低-一侧 switches 是
制造的 在
s-场效应晶体管
逻辑 水平的 技术. 这 相等的 标准 产品 是 这
BUZ 104 SL
.
在 contrast 至 这
BTS 7710 G
, 这个 组成 的 更小的 ohmic 碎片 在 这 一样
包装, 这
BTS 7700 G
提供 一个 更小的 价格 为 产品, 这个 做 不 需要 这
高 电流 能力 的 这
BTS 7710 G
或者
BTS 7710 GP
.
类型 订货 代号 包装
BTS 7700 G q67007-a9375 p-dso-28-14
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