PROFET
®
bts 734 l1
半导体 组 1 10.96
smart 二 频道 highside 电源 转变
特性
•
超载 保护
•
电流 限制
•
短的-电路 保护
•
热的 关闭
•
超（电）压 保护
(包含 加载 丢弃)
•
快 demagnetization 的 inductive 负载
•
反转 电池 保护
1
)
•
欠压 和 超（电）压 关闭
和 自动-重新开始 和 hysteresis
•
打开 流 diagnostic 输出
•
打开 加载 发现 在 在-状态
•
cmos 兼容 输入
•
丧失 的 地面 和 丧失 的 v
bb
保护
•
E
lectro
s
tatic
d
ischarge (
静电释放
) 保护
应用
•
µ
c 兼容 电源 转变 和 diagnostic 反馈
为 12 v 和 24 v 直流 grounded 负载
•
所有 类型 的 resistive, inductive 和 电容的 负载
•
替代 electromechanical 接转, fuses 和 分离的 电路
一般 描述
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 和 承担 打气, 地面 关联 cmos 兼容 输入 和 diagnostic
反馈, monolithically 整体的 在 smart sipmos
技术. 全部地 保护 用 embedded 保护
功能.
管脚 定义 和 功能
管脚 标识 函数
1,10,
11,12,
15,16,
19,20
V
bb
积极的 电源 供应 电压
. 设计 这
线路 为 这 同时发生的 最大值 短的 电路
电流 从 频道 1 至 2 和 也 为 低
热的 阻抗
3 IN1
输入 1,2
, activates 频道 1,2 在 情况 的
7 IN2 逻辑 高 信号
17,18 OUT1
输出 1,2
, 保护 高-一侧 电源 输出
13,14 OUT2 的 频道 1,2. 设计 这 线路 为 这 最大值
短的 电路 电流
4 ST1
diagnostic 反馈 1,2
的 频道 1,2,
8 ST2 打开 流, 低 在 失败
2 GND1
地面 1
的 碎片 1 (频道 1)
6 GND2
地面 2
的 碎片 2 (频道 2)
5,9 n.c.
不 连接
1
)
和 外部 电流 限制 (e.g. 电阻 r
地
=150
Ω
) 在 地 连接, 电阻 在 序列 和 st
连接, 反转 加载 电流 限制 用 连接 加载.
产品 summary
超（电）压 保护
V
bb(az)
43 V
运行 电压
V
bb(在)
5.0 ... 34 V
起作用的 途径: 一个 二 并行的
在-状态 阻抗
R
在
40 20
m
Ω
名义上的 加载 电流
I
l(nom)
4.8 7.3 一个
电流 限制
I
l(scr)
19 19 一个
管脚 配置
(顶 视图)
V
bb
1
•
20 V
bb
GND1 2 19 V
bb
IN1 3 18 OUT1
ST1 4 17 OUT1
n.c. 5 16 V
bb
GND2 6 15 V
bb
IN2 7 14 OUT2
ST2 8 13 OUT2
n.c. 9 12 V
bb
V
bb
10 11 V
bb
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