飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2508AW
一般 描述
增强 效能, 新 一代, 高-电压, 高-速 切换 npn 晶体管 在 一个 塑料 封套
将 为 使用 在 horizontal deflection 电路 的 colour television 接受者. 特性 exceptional 容忍 至
根基 驱动 和 集电级 电流 加载 变化 结果 在 一个 非常 低 worst 情况 消耗.
快 涉及 数据
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
是
= 0 v - 1500 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 700 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 8 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 15 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
≤
25 ˚c - 125 W
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 4.5 一个; i
B
= 1.12 一个 - 1.0 V
I
Csat
集电级 饱和 电流 f=16kHz 4.5 - 一个
t
f
下降 时间 I
Csat
= 4.5 一个;f=16khz 0.4 0.6
µ
s
固定 - sot429 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 根基
2 集电级
3 发射级
tab 集电级
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 电压 顶峰 值 V
是
= 0 v - 1500 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (打开 根基) - 700 V
I
C
集电级 电流 (直流) - 8 一个
I
CM
集电级 电流 顶峰 值 - 15 一个
I
B
根基 电流 (直流) - 4 一个
I
BM
根基 电流 顶峰 值 - 6 一个
-i
b(av)
反转 根基 电流 平均 在 任何 20 ms 时期 - 100 毫安
-i
BM
反转 根基 电流 顶峰 值
1
-5a
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
≤
25 ˚c - 125 W
T
stg
存储 温度 -55 150 ˚C
T
j
接合面 温度 - 150 ˚C
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
接合面 至 挂载 根基 - - 1.0 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 在 自由 空气 45 - k/w
2
3
1
b
c
e
1
转变-止 电流.
九月 1997 1 rev 1.100
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