首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:184463
 
资料名称:BUD616A
 
文件大小: 134.55K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BUD616A的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号BUD616A的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号BUD616A的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号BUD616A的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号BUD616A的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号BUD616A的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号BUD616A的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号BUD616A的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BUD616A
vishay telefunken
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
rev. 1, 20–jan–99
1 (9)
文档 号码 86501
硅 npn 高 电压 切换 晶体管
特性
D
S
imple-s
W
itch-
O
ff
T
ransistor (swot)
D
高 速 技术
D
planar passivation
D
100 khz 切换 比率
D
D
非常 低 动态 饱和
D
非常 低 运行 温度
D
优化 rbsoa
D
电子的 lamp ballast 电路
转变-模式 电源 供应
94 8964
1
2
3
BUD616A
1 发射级 2 集电级 3 根基
94 8965
2
1
3
bud616a –smd
1 发射级 2 集电级 3 根基
绝对 最大 比率
T
情况
= 25
°
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 单位
集电级-发射级 电压 V
CEO
450 Vg
V
CES
1000 V
发射级-根基 电压 V
EBO
12 V
集电级 电流 I
C
1.6 一个
集电级 顶峰 电流 I
CM
2.4 一个
根基 电流 I
B
0.8 一个
根基 顶峰 电流 I
BM
1.2 一个
总的 电源 消耗 T
情况
50
°
C P
tot
20 W
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com