BUP307D_集成电路资料查询网

半导体 组
1 dec-02-1996
bup 307d
igbt 和 antiparallel 二极管
初步的 数据
• 低 向前 电压 漏出
• 高 切换 速
• 低 tail 电流
• 获得-向上 自由
• 包含 快 自由-轮子 二极管
管脚 1 管脚 2 管脚 3
G C E
类型
V
CE
I
C
包装 订货 代号
bup 307d 1200V 35A 至-218 ab q67040-a4221-a2
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
1200 V
集电级-门 电压
R
GE
= 20 k
Ω
V
CGR
1200
门-发射级 电压
V
GE
± 20
直流 集电级 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 90 °c
I
C
23
35
一个
搏动  集电级 电流,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °c
T
C
= 90 °c
I
Cpuls
46
70
二极管 向前 电流
T
C
= 90 °c
I
F
18
搏动 二极管 电流,
t
p
= 1 ms
T
C
= 25 °c
I
Fpuls
108
电源 消耗
T
C
= 25 °c
P
tot
300
W
碎片 或者 运行 温度
T
j
-55 ... + 150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 150

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半导体组 1 dec-02-1996 bup 307d igbt 和 antiparallel 二极管初步的数据 • 低向前电压漏出 • 高切换速 • 低 tail 电流 • 获得-向上自由 • 包含快自由-轮子二极管管脚 1 管脚 2 管脚 3 G C E 类型 V CE I C 包装订货代号 bup 307d 1200V 35A 至-218 ab q67040-a4221-a2 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 V CE 1200 V 集电级-门电压 R GE = 20 k Ω V CGR 1200 门-发射级电压 V GE ± 20 直流集电级电流 T C = 25 °c T C = 90 °c I C 23 35 一个搏动集电级电流, t p = 1 ms T C = 25 °c T C = 90 °c I Cpuls 46 70 二极管向前电流 T C = 90 °c I F 18 搏动二极管电流, t p = 1 ms T C = 25 °c I Fpuls 108 电源消耗 T C = 25 °c P tot 300 W 碎片或者运行温度 T j -55 ... + 150 °C 存储温度 T stg -55 ... + 150

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