©2001 仙童 半导体 公司 rev. b1, 8月 2001
but11/11a
npn 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
* 搏动: 搏动 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 = 1.5%
热的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压
: but11
: but11a
850
1000
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: but11
: but11a
400
450
V
V
EBO
发射级-根基 电压 9 V
I
C
集电级 电流 (直流) 5 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) 10 一个
I
B
根基 电流 (直流) 2 一个
I
BP
*base 电流 (脉冲波) 4 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 100 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压
: but11
: but11a
I
C
= 100ma, i
B
= 0 400
450
V
V
I
CES
集电级 截-止 电流
: but11
: but11a
V
CE
= 850v, v
是
= 0 1
1
毫安
毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
是
= 9v, i
C
= 0 10 毫安
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压
: but11
: but11a
I
C
= 3a, i
B
= 0.6a
I
C
= 2.5a, i
B
= 0.5a
1.5
1.5
V
V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压
: but11
: but11a
I
C
= 3a, i
B
= 0.6a
I
C
= 2.5a, i
B
= 0.5a
1.3
1.3
V
V
t
在
转变 在 时间 V
CC
= 250v, i
C
= 2.5a
I
B1
= -i
B2
= 0.5a
R
L
= 100
Ω
1
µ
s
t
STG
存储 时间 4
µ
s
t
F
下降 时间 0.8
µ
s
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
jC
热的 阻抗, 接合面 至 情况 1.25
°
c/w
but11/11a
高 电压 电源 切换 产品
1.根基 2.集电级 3.发射级
1
至-220
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