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半导体 组
1 07/96
buz 326
SIPMOS
®
电源 晶体管
• n 频道
• 增强 模式
• avalanche-评估
管脚 1 管脚 2 管脚 3
G D S
类型
V
DS
I
D
R
ds(在
)
包装 订货 代号
buz 326 400 v 10.5 一个 0.5
Ω
至-218 aa c67078-s3112-a2
最大 比率
参数 标识 值 单位
持续的 流 电流
T
C
= 27 °c
I
D
10.5
一个
搏动 流 电流
T
C
= 25 °c
I
Dpuls
42
avalanche 电流,限制 用
T
jmax
I
AR
10.5
avalanche 活力,periodic 限制 用
T
jmax
E
AR
13 mJ
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
= 10.5 一个,
V
DD
= 50 v,
R
GS
= 25
Ω
L
= 9.05 mh,
T
j
= 25 °c
E
作
570
门 源 电压
V
GS
±
20 V
电源 消耗
T
C
= 25 °c
P
tot
125
W
运行 温度
T
j
-55 ... + 150 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 150
热的 阻抗, 碎片 情况
R
thJC
≤
1 k/w
热的 阻抗, 碎片 至 包围的
R
thJA
75
din 湿度 类别, din 40 040 E
iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 150 / 56

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半导体组 1 07/96 buz 326 SIPMOS ® 电源晶体管 • n 频道 • 增强模式 • avalanche-评估管脚 1 管脚 2 管脚 3 G D S 类型 V DS I D R ds(在 ) 包装订货代号 buz 326 400 v 10.5 一个 0.5 Ω 至-218 aa c67078-s3112-a2 最大比率参数标识值单位持续的流电流 T C = 27 °c I D 10.5 一个搏动流电流 T C = 25 °c I Dpuls 42 avalanche 电流,限制用 T jmax I AR 10.5 avalanche 活力,periodic 限制用 T jmax E AR 13 mJ avalanche 活力, 单独的脉冲波 I D = 10.5 一个, V DD = 50 v, R GS = 25 Ω L = 9.05 mh, T j = 25 °c E 作 570 门源电压 V GS ± 20 V 电源消耗 T C = 25 °c P tot 125 W 运行温度 T j -55 ... + 150 °C 存储温度 T stg -55 ... + 150 热的阻抗, 碎片情况 R thJC ≤ 1 k/w 热的阻抗, 碎片至包围的 R thJA 75 din 湿度类别, din 40 040 E iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 150 / 56

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