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资料编号:185747
 
资料名称:BUZ80
 
文件大小: 200.61K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BUZ80
BUZ80FI
N - 频道 增强 模式
电源 MOS 晶体管
典型 R
ds(在)
= 3.3
AVALANCHE 强壮 技术
100% AVALANCHE 测试
REPETITIVE AVALANCHE 数据 100
o
C
输入 电容
承担
应用 朝向
描绘
产品
电流, 切换
转变 模式 电源 供应 (smps)
消费者 工业的 LIGHTING
直流-交流 反相器 WELDING
设备 UNINTERRUPTIBLE
电源 供应 (ups)
内部的 图式 图解
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
BUZ80
BUZ80FI
800 V
800 V
<4
<4
3.4 一个
2.1 一个
1
2
3
至-220 ISOWATT220
十一月 1996
绝对 最大 比率
Symbol 参数 Value 单位
BUZ80 BUZ80FI
V
DS
流-source 电压 (v
GS
=0) 800 V
V
DG R
流- 电压 (r
GS
=20k
)800v
V
GS
门-源 电压
±
20 V
I
D
电流 (内容inuous) T
c
=25
o
c3.42.1a
I
D
电流 (内容inuous) T
c
=100
o
c2.1 1.3a
I
DM
(
) 电流 (搏动) 13 13 一个
P
tot
总的 消耗 T
c
=25
o
C 100 40 W
减额 Factor 0.8 0.32 w/
o
C
V
ISO
Insulation 承受 Voltage (直流)
2000 V
T
stg
Storage Temperature -65 150
o
C
T
j
最大值 Operating 接合面 Temperature 150
o
C
(
) 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围
1
2
3
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