飞利浦 半导体 产品 规格
整流器 二极管 byv32e, byv32eb 序列
ultrafast, 坚毅的
特性 标识 快 涉及 数据
• 低 向前 volt 漏出 V
R
= 150 v/ 200 v
• 快 切换
• 软 恢复 典型的 V
F
≤
0.85 v
• 反转 surge 能力
• 高 热的 cycling 效能 I
o(av)
= 20 一个
• 低 热的 阻抗
I
RRM
= 0.2 一个
t
rr
≤
25 ns
一般 描述
双, 过激-快, 外延的 整流器 二极管 将 为 使用 作 输出 整流器 在 高 频率 切换 模式 电源
供应.
这 BYV32E 序列 是 有提供的 在 这 SOT78 常规的 含铅的 包装.
这 BYV32EB 序列 是 有提供的 在 这 SOT404 表面 挂载 包装.
固定 sot78 (to220ab) SOT404
管脚 描述
1 anode 1 (一个)
2 cathode (k)
1
3 anode 2 (一个)
tab cathode (k)
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
byv32e / byv32eb -150 -200
V
RRM
peaqk repetitive 反转 - 150 200 V
电压
V
RWM
crest working 反转 电压 - 150 200 V
V
R
持续的 反转 电压 - 150 200 V
I
o(av)
平均 调整的 输出 电流 正方形的 波;
δ
= 0.5; - 20 一个
(两个都 二极管 组织) T
mb
≤
115 ˚c
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 t = 25
µ
s;
δ
= 0.5; - 20 一个
每 二极管 T
mb
≤
115 ˚c
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 t = 10 ms - 125 一个
电流 每 二极管 t = 8.3 ms - 137 一个
sinusoidal; 和 reapplied
V
rwm(最大值)
I
RRM
repetitive 顶峰 反转 电流 t
p
= 2
µ
s;
δ
= 0.001 - 0.2 一个
每 二极管
I
RSM
非-repetitive 顶峰 反转 t
p
= 100
µ
s - 0.2 一个
电流 每 二极管
T
stg
存储 温度 -40 150 ˚C
T
j
运行 接合面 温度 - 150 ˚C
1 它 是 不 可能 至 制造 连接 至 管脚 2 的 这 sot404 包装
k
a1
a2
13
2
13
tab
2
123
tab
july 1998 1 rev 1.200
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