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资料编号:188764
 
资料名称:BYV118-40
 
文件大小: 36.96K
   
说明
 
介绍:
Rectifier diodes Schottky barrier
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
整流器 二极管 byv118, byv118b 序列
肖特基 屏障
特性 标识 快 涉及 数据
• 低 向前 volt 漏出
V
R
= 35 v/ 40 v/ 45 v
• 快 切换
• 反转 surge 能力
I
o(av)
= 10 一个
• 高 热的 cycling 效能
• 低 热的 阻抗
V
F
0.6 v
一般 描述
双, 一般 cathode 肖特基 整流器 二极管 一个 常规的 含铅的 塑料 包装 一个 表面 挂载
塑料 包装. 使用 输出 整流器 电压, 频率 切换 模式 电源 供应.
BYV118 序列 有提供的 SOT78 常规的 含铅的 包装.
BYV118B 序列 有提供的 SOT404 表面 挂载 包装.
固定 sot78 (to220ab) SOT404
管脚 描述
1 anode 1 (一个)
2 cathode (k)
1
3 anode 2 (一个)
tab cathode (k)
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
byv118- 35 40 45
byv118b- 35 40 45
V
RRM
顶峰 repetitive 反转 - 35 40 45 V
电压
V
RWM
working 顶峰 反转 - 35 40 45 V
电压
V
R
持续的 反转 电压 T
mb
108 ˚c - 35 40 45 V
I
o(av)
平均 调整的 向前 正方形的 波;
δ
= 0.5; - 10 一个
电流 (两个都 二极管 T
mb
127 ˚c
组织)
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 正方形的 波;
δ
= 0.5; - 10 一个
电流 (每 二极管) T
mb
127 ˚c
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 t = 10 ms - 100 一个
电流 每 二极管 t = 8.3 ms - 110 一个
sinusoidal; t
j
= 125 ˚c 较早的 至
surge; 和 reapplied v
rrm(最大值)
I
RRM
顶峰 repetitive 反转 脉冲波 宽度 和 repetition 比率 - 1 一个
surge 电流 每 二极管 限制 用 t
j 最大值
T
j
运行 接合面 - 150 ˚C
温度
T
stg
存储 温度 - 65 175 ˚C
1
. 它 是 不 可能 至 制造 连接 至 管脚 2 的 这 sot404 pckage.
k
a1
a2
13
2
13
tab
2
123
tab
将 1998 1 rev 1.300
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