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资料编号:190009
 
资料名称:BZG05C15
 
文件大小: 64.85K
   
说明
 
介绍:
Silicon Z-Diodes
 
 


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2
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bzg05c...
vishay telefunken
rev. 6, 01-apr-99 1 (4)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85595
硅 z–diodes
特性
D
glass 钝化的 接合面
D
高 可靠性
D
电压 范围 3.3v 至 100v
D
合适的 面向 5 mm smd footpads
D
波 和 软熔焊接 solderable
产品
15 811
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 单位
电源 消耗 R
thJA
<30k/w, t
amb
=60
°
C P
V
3 W
R
thJA
<100k/w, t
amb
=25
°
C P
V
1.25 W
非 repetitive 顶峰 surge 电源
消耗
t
p
=100
m
s sq.脉冲波, t
j
=25
°
C
较早的 至 surge
P
ZSM
60 W
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65...+150
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 单位
接合面 含铅的 R
thJL
30 k/w
接合面 包围的 挂载 在 epoxy–glass hard tissue, 图. 1a R
thJA
150 k/w
挂载 在 epoxy–glass hard tissue, 图. 1b R
thJA
125 k/w
挂载 在 al–oxid–ceramic (al
2
O
3
), 图. 1b R
thJA
100 k/w
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=0.2a V
F
1.2 V
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