1/49may 2002
M28W800CT
M28W800CB
8 Mbit (512kb x16, 激励 块)
3V 供应 Flash 记忆
特性 SUMMARY
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供应 电压
–V
DD
= 2.7v 至 3.6v 核心 电源 供应
–V
DDQ
= 1.65v 至 3.6v 为 输入/输出
–V
PP
= 12V 为 快 程序 (optional)
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进入 时间: 70, 85, 90,100ns
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程序编制 时间:
– 10µs 典型
– 翻倍 文字 程序编制 选项
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一般 FLASH 接口
– 64 位 安全 代号
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记忆 BLOCKS
– 参数 Blocks (顶 或者 Bottom location)
– 主要的 Blocks
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块 LOCKING
– 所有 blocks 锁 在 电源 向上
– 任何 结合体 的 blocks 能 是 锁
–WP
为 块 锁-向下
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安全
– 64 位 用户 可编程序的 OTP cells
– 64 位 唯一的 设备 identifier
– 一个 参数 块 Permanently Lockable
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自动 保卫-用 模式
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程序 和 擦掉 SUSPEND
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
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电子的 SIGNATURE
– 生产者 代号: 20h
– 顶 设备 代号, m28w800ct: 88CCh
– Bottom 设备 代号, m28w800cb: 88CDh
图示 1. 包装
FBGA
TSOP48 (n)
12 x 20mm
TFBGA46 (zb)
6.39 x 6.37mm
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