©2001 硅 存储 技术, 公司
s71160-05-000 5/01 505
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这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
ssf 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
初步的 规格
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit (x8) 小-sector flash
sst29sf512 / sst29sf010 / sst29sf020 / sst29sf040
sst29vf512 / sst29vf010 / sst29vf020 / sst29vf040
特性:
• 有组织的 作 64k x8 / 128k x8 / 256k x8 / 512k x8
• 单独的 电压 读 和 写 行动
– 5.0v-仅有的 为 sst29sf512/010/020/040
– 2.7-3.6v 为 sst29vf512/010/020/040
•
更好的 可靠性
–
忍耐力: 100,000 循环 (典型)
–
更好 比 100 年 数据 保持
•
低 电源 消耗量:
–
起作用的 电流: 10 毫安 (典型)
–
备用物品 电流:
30 µa (典型) 为 sst29sf512/010/020/040
1 µa (典型) 为 sst29vf512/010/020/040
•
sector-擦掉 能力
–
uniform 128 字节 sectors
•
快 读 进入 时间:
–
55 ns
–
70 ns
•
latched 地址 和 数据
•
快 擦掉 和 字节-程序:
–
sector-擦掉 时间: 18 ms (典型)
–
碎片-擦掉 时间: 70 ms (典型)
–
字节-程序 时间: 14 µs (典型)
–
碎片 rewrite 时间:
1 第二 (典型) 为 sst29sf/vf512
2 秒 (典型) 为 sst29sf/vf010
4 秒 (典型) 为 sst29sf/vf020
8 秒 (典型) 为 sst29sf/vf040
•
自动 写 定时
–
内部的 v
PP
一代
•
终止-的-写 发现
–
toggle 位
–
data# polling
•
ttl i/o 兼容性 为 sst29sfxxx
•
cmos i/o 兼容性 为 sst29vfxxx
•
电子元件工业联合会 标准
–
flash 可擦可编程只读存储器 pinouts 和 command sets
•
包装 有
–
32-管脚 plcc
–
32-管脚 tsop (8mm x 14mm)
–
32-管脚 pdip
产品 描述
这 sst29sf512/010/020/040 和 sst29vf512/010/
020/040 是 64k x8 / 128k x8 / 256k x8 / 512k x8 cmos
小-sector flash (ssf) 制造的 和 sst
’
s propri-
etary, 高 效能 cmos superflash 技术.
这 分割-门 cell 设计 和 厚 oxide tunneling injector
attain 更好的 可靠性 和 manufacturability 对照的 和
alternate approaches. 这 sst29sfxxx 设备 写
(程序 或者 擦掉) 和 一个 4.5-5.5v 电源 供应. 这
sst29vfxxx 设备 写 (程序 或者 擦掉) 和 一个 2.7-
3.6v 电源 供应. 这些 设备 遵从 至 电子元件工业联合会 stan-
dard pinouts 为 x8 memories.
featuring 高 效能 字节-程序, 这
sst29sfxxx 和 sst29vfxxx 设备 提供 一个 maxi-
mum 字节-程序 时间 的 20 µsec. 至 保护 相反
inadvertent 写, 它们 有 在-碎片 硬件 和 软-
ware 数据 保护 schemes. 设计, 制造的,
和 测试 为 一个 宽 spectrum 的 产品, 这些
设备 是 offered 和 一个 有保证的 忍耐力 的 在 least
10,000 循环. 数据 保持 是 评估 在 更好 比 100
年.
这 sst29sfxxx 和 sst29vfxxx 设备 是 suited 为
产品 那 需要 便利的 和 economical updat-
ing 的 程序, 配置, 或者 数据 记忆. 为 所有 sys-
tem 产品, 它们 significantly 改进 效能
和 可靠性, 当 lowering 电源 消耗量. 它们
本质上 使用 较少 活力 在 擦掉 和 程序 比
alternative flash 科技. 这 总的 活力 consumed
是 一个 函数 的 这 应用 电压, 电流, 和 时间 的
应用. 自从 为 任何 给 电压 范围, 这 超级的-
flash 技术 使用 较少 电流 至 程序 和 有 一个
shorter 擦掉 时间, 这 总的 活力 consumed 在 任何
擦掉 或者 程序 运作 是 较少 比 alternative flash
科技. 它们 也 改进 flexibility 当 lowering
这 费用 为 程序, 数据, 和 配置 存储 appli-
cations.
这 superflash 技术 提供 fixed 擦掉 和 pro-
gram 时间, 独立 的 这 号码 的 擦掉/程序
循环 那 有 occurred. 因此 这 系统 软件
或者 硬件 做 不 有 至 是 修改 或者 de-评估 作 是
需要 和 alternative flash 科技, 谁的 擦掉
和 程序 时间 增加 和 accumulated 擦掉/pro-
gram 循环.
至 满足 高 密度, 表面 挂载 (所需的)东西, 这
sst29sfxxx 和 sst29vfxxx 设备 是 offered 在 32-
管脚 plcc 和 32-管脚 tsop 包装. 一个 600 mil, 32-管脚
pdip 是 也 offered 为 sst29sfxxx 设备. 看 计算数量
1, 2, 和 3 为 pinouts.
sst29sf/vf512 / 010 / 020 / 0405.0 &放大; 2.7v 512kb / 1mb / 2mb / 4mb (x8) byte-program, 小 擦掉 sector flash memories
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