128k x 8 静态的 内存
CY62128B
MoBL
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose
,
ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05300 rev. *c 修订 二月 14, 2005
特性
• 温度 范围
— 商业的: 0°c 至 70°c
— 工业的: –40°c 至 85°c
— automotive: –40°c 至 125°c
• 4.5v – 5.5v 运作
• cmos 为 最佳的 速/电源
• 低 起作用的 电源
(70 ns, ll 版本, commercial, 工业的)
— 82.5 mw (最大值.) (15 毫安)
• 低 备用物品 电源
(70 ns, ll 版本, commercial, 工业的)
—110
µ
w (最大值.) (15
µ
一个)
• 自动 电源-向下 当 deselected
• ttl-兼容 输入 和 输出
• 容易 记忆 expansion 和 ce
1
, ce
2
, 和 oe选项
函数的 描述
[1]
这 cy62128b 是 一个 高-效能 cmos 静态的 内存
有组织的 作 131,072 words 用 8 位. 容易 记忆
expansion 是 提供 用 一个 起作用的 低 碎片 使能 (ce
1
),
一个 起作用的 高 碎片 使能 (ce
2
), 一个 起作用的 低 输出
使能 (oe
), 和 三-状态 drivers. 这个 设备 有 一个
自动 电源-向下 特性 那 减少 电源
消耗量 用 更多 比 75% 当 deselected.
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
一个 (ce
1
) 和 写 使能 (我们) 输入 低 和 碎片
使能 二 (ce
2
) 输入 高. 数据 在 这 第八 i/o 管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
) 是 然后 写 在 这 location 指定 在 这
地址 管脚 (一个
0
通过 一个
16
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片
使能 一个 (ce
1
) 和 输出 使能 (oe) 低 当 forcing
写 使能 (我们
) 和 碎片 使能 二 (ce
2
) 高. 下面
这些 情况, 这 内容 的 这 记忆 location
指定 用 这 地址 管脚 将 呈现 在 这 i/o 管脚.
这 第八 输入/输出 管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
) 是 放置 在 一个
高-阻抗 状态 当 这 设备 是 deselected (ce
1
高 或者 ce
2
低), 这 输出 是 无能 (oe高), 或者
在 一个 写 运作 (ce
1
低, ce
2
高, 和 我们低).
这 cy62128b 是 有 在 一个 标准 450-mil-宽 soic,
32-管脚 tsop 类型 i 和 stsop 包装.
便条:
1. 为 最好的 实践 recommendations, 请 谈及 至 这 cypress 应用 便条 “system 设计 guidelines” 在 http://www.cypress.com.
14
15
逻辑 块 图解
一个
1
一个
2
一个
3
一个
4
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
COLUMN
解码器
行 解码器
sense 放大器
输入 缓存区
电源
向下
我们
OE
i/o
0
CE
2
i/o
1
i/o
2
i/o
3
512x 256x 8
排列
i/o
7
i/o
6
i/o
5
i/o
4
一个
0
一个
11
一个
13
一个
12
一个
一个
10
CE
1
一个
一个
16
一个
9
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