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资料编号:242664
 
资料名称:CZT3019
 
文件大小: 92.51K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON TRANSISTOR
 
 


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1
浏览型号CZT3019的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
306
CentralCentral
CentralCentral
Central
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.半导体 corp.
半导体 corp.
TM
sot-223 情况
CZT3019
npn 硅 晶体管
描述:
这 central 半导体 czt3019
类型 是 一个 npn 硅 晶体管 制造的
用 这 外延的 planar 处理, 环氧的 模塑的
在 一个 表面 挂载 包装, 设计 为 高
电流 一般 目的 放大器 产品.
最大 比率
(t
一个
=25
o
c)
标识 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
120 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
80 V
发射级-根基 电压 V
EBO
7.0 V
集电级 电流 I
C
1.0 一个
集电级 电流 (顶峰) I
CM
1.5 一个
电源 消耗 P
D
2.0 W
运行 和 存储
接合面 温度 T
J
,t
stg
-65 至 +150
o
C
热的 阻抗
Θ
JA
o
c/w
电的 特性
(t
一个
=25
o
c 除非 否则 指出)
标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
V
CB
=90V 10 nA
I
EBO
V
EB
=5.0v 10 nA
BV
CBO
I
C
=100
µ
一个 120 V
BV
CEO
I
C
=30mA 80 V
BV
EBO
I
E
=100
µ
一个 7.0 V
V
ce(sat)
I
C
=150ma, i
B
=15mA 0.2 V
V
ce(sat)
I
C
=500ma, i
B
=50mA 0.5 V
V
是(sat)
I
C
=150ma, i
B
=15mA 1.1 V
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=0.1ma 50
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=10mA 90
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=150mA 100 300
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=500mA 50
h
FE
V
CE
=10v, i
C
=1.0a 15
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