半导体 组件 industries, llc, 2004
october, 2004 − rev. 7
1
发行 顺序 号码:
nthd4n02f/d
NTHD4N02F
电源 场效应晶体管 和
肖特基 二极管
20 v, 3.9 一个, n−channel, 和 3.7 一个
肖特基 屏障 二极管, chipfet
特性
•
无铅 smd 包装 featuring 一个 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
•
40% 小 比 tsop−6 包装 和 更好的 thermals
•
超级的 低 门 承担 场效应晶体管
•
过激 低 v
F
肖特基
•
pb−free 包装 是 有
产品
•
快 切换, 低 门 承担 为 直流 至 直流 buck 和 boost
转换器
•
li−ion 电池 产品 在 cell phones, pdas, dscs, 和 媒介
播放机
•
加载 一侧 切换
场效应晶体管 最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数 标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
20 V
gate−to−source 电压 V
GS
±
12 V
持续的 流
电流
稳步的
T
J
= 25
°
C
I
D
2.9
一个
电流
稳步的
状态
T
J
= 85
°
C 2.1
t
5 s T
J
= 25
°
C 3.9
搏动 流 电流 t
p
=10
s I
DM
12 一个
电源 消耗
稳步的
T
J
= 25
°
C
P
D
0.91
W
稳步的
状态
T
J
= 85
°
C 0.36
t
5 s T
J
= 25
°
C 2.1
持续的 源 电流 (身体 二极管) I
S
2.6 一个
运行 接合面 和 存储
温度
T
J
, t
STG
−55 至 150
°
C
含铅的 温度 为 焊接 目的
(1/8” 从 情况 为 10 s)
T
L
260
°
C
肖特基 二极管 最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数
标识 值 单位
顶峰 repetitive 反转 电压 V
RRM
20 V
直流 blocking 电压 V
R
20 V
平均 调整的
向前 电流
稳步的
状态
T
J
= 25
°
C
I
F
2.2 一个
t
5 s
T
J
=25 C
3.7 一个
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
NTHD4N02FT1 ChipFET 3000/录音带 &放大; 卷轴
ChipFET
情况 1206a
样式 3
http://onsemi.com
C
一个
肖特基 二极管
20 v
20 v
80 m
@ 2.5 v
60 m
@ 4.5 v
0.35 v
R
ds(在)
典型值
3.9 一个
3.7 一个
I
D
最大值V
(br)dss
场效应晶体管
肖特基 二极管
V
R
最大值 I
F
最大值V
F
典型值
G
D
S
n−channel 场效应晶体管
1
1
1
8
7
6
54
3
2
1
标记
图解
C2
M
C2 = 明确的 设备 代号
M = month 代号
1
2
3
4
C
C
D
D
一个
一个
S
G
管脚
连接
NTHD4N02FT1G
ChipFET
(pb−free)
3000/录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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