Si9433BDY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72755
s-40242—rev.一个, 16-二月-04
www.vishay.com
1
p-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
20
0.040 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
6.2
−
20
0.060 @ v
GS
=
−
2.7 v
−
5.0
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
订货 信息: si9433bdy—e3 (含铅的 自由)
si9433bdy-t1—e3 (含铅的自由 和 录音带 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
−
20
V
门-源 电压 V
GS
12
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
−
6.2
−
4.5
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
−
5.0
−
3.5
一个
搏动 流 电流 I
DM
−
20
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
−
2.3
−
1.2
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.5 1.3
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.6 0.8
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
45 50
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
80 95
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
20 24
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板, t
10 秒.
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