E
进步 信息
january 1998 顺序 号码: 290606-004
n
高-密度 symmetrically-blocked
Architecture
64 128-kbyte 擦掉 blocks (64 m)
32 128-kbyte 擦掉 blocks (32 m)
n
5 v v
CC
运作
2.7 v i/o 有能力
n
configurable x8 或者 x16 i/o
n
120 ns 读 进入 时间 (32 m)
150 ns 读 进入 时间 (64 m)
n
增强 数据 保护 特性
绝对 保护 和
V
PEN
= 地
有伸缩性的 块 locking
块 擦掉/程序 lockout
在 电源 transitions
n
工业-标准 包装
µbga* 包装, ssop 和 tsop
包装 (32 m)
n
交叉-兼容 command 支持
intel 基本 command 设置
一般 flash 接口
scaleable command 设置
n
32-字节 写 缓存区
6 µs 每 字节 有效的
程序编制 时间
n
640,000 总的 擦掉 循环 (64 m)
320,000 总的 擦掉 循环 (32 m)
10,000 擦掉 循环 每 块
n
automation suspend 选项
块 擦掉 suspend 至 读
块 擦掉 suspend 至 程序
n
系统 效能 增强
sts 状态 输出
n
intel strataflash™ 记忆 flash
技术
capitalizing 在 二-位-每-cell 技术, intel strataflash™ 记忆 产品 提供 2x 这 位 在 1x 这
空间. offered 在 64-mbit (8-mbyte) 和 32-mbit (4-mbyte) densities, intel strataflash 记忆 设备 是
这 第一 至 bring 可依靠的, 二-位-每-cell 存储 技术 至 这 flash market.
intel strataflash 记忆 益处 包含: 更多 密度 在 较少 空间, 最低 费用-每-位 也不 设备,
支持 为 代号 和 数据 存储, 和 容易 migration 至 future 设备.
使用 这 一样 也不-为基础 etox™ 技术 作 intel’s 一个-位-每-cell 产品, intel strataflash
记忆
设备 引领 有利因素 的 400 million 单位 的 制造 experience 自从 1988. 作 一个 结果,
intel strataflash 组件 是 完美的 为 代号 或者 数据 产品 在哪里 高 密度 和 低 费用 是
必需的. examples 包含 networking, telecommunications, 音频的 recording, 和 数字的 imaging.
用 应用 flashfile™ 记忆 家族 pinouts, intel strataflash 记忆 组件 准许 容易 设计
migrations 从 存在 28f016sa/sv, 28f032sa, 和 文字-宽 flashfile 记忆 设备 (28f160s5
和 28f320s5).
intel strataflash 记忆 组件 deliver 一个 新 一代 的 向前-兼容 软件 支持. 用
使用 这 一般 flash 接口 (cfi) 和 这 scaleable command 设置 (scs), 客户 能 引领
有利因素 的 密度 升级 和 优化 写 能力 的 future intel strataflash 记忆 设备.
制造的 在 intel’s 0.4 micron etox™ v 处理 技术, intel strataflash 记忆 提供 这
最高的 水平 的 质量 和 可靠性.
intel strataflash™ 记忆 技术
32 和 64 mbit
28f320j5 和 28f640j5
: 点此下载
