ds05-20882-2e
fujitsu 半导体
数据SHEET
flash 记忆
CMOS
64m (4m
×
16) 位
mbm29lv650ue/651ue
-90/12
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描述
这 mbm29lv650ue/651ue 是 一个 64m-位, 3.0 v-仅有的 flash 记忆 有组织的 作 4m words 的 16 位 each. 这
设备 是 设计 至 是 编写程序 在 系统 和 这 标准 系统 3.0 v v
CC
供应. 12.0 v v
PP
和
5.0 v v
CC
是 不 必需的 为 写 或者 擦掉 行动. 这 设备 能 也 是 reprogrammed 在 标准
非易失存储器 programmers.
至 eliminate 总线 contention 这 设备 有 独立的 碎片 使能 (ce
), 写 使能 (我们), 和 输出 使能
(oe
) 控制.
这 mbm29lv650ue/651ue 是 全部地 command 设置 兼容 和 电子元件工业联合会 单独的-电源-供应 flash stan-
dard. commands 是 写 至 这 command 寄存器 使用 标准 微处理器 写 timings. 寄存器
内容 提供 作 输入 至 一个 内部的 状态-机器 这个 控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 写
循环 也 内部 获得 地址 和 数据 需要 为 这 程序编制 和 擦掉 行动.
典型地, 各自 sector 能 是 编写程序 和 核实 在 关于 0.5 秒.
(持续)
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产品 阵容
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包装
部分 非. mbm29lv650ue/651ue
订货 部分 非.
V
CC
= 3.3 v
90 —
V
CC
= 3.0 v
—12
最大值 地址 进入 时间 (ns) 90 120
最大值 ce
进入 时间 (ns) 90 120
最大值 oe
进入 时间 (ns) 35 50
+0.3 v
–0.3 v
+0.6 v
–0.3 v
(fpt-48p-m20)
(fpt-48p-m19)
标记 一侧
标记 一侧
48-管脚 塑料 tsop (i)
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