ds05-20879-2e
fujitsu 半导体
数据SHEET
flash 记忆
CMOS
16m (2m
×
8/1m
×
16) 位
mbm29f160te/是
-55/-70/-90
■
一般 描述
这 mbm29f160te/是 是 一个 16m-位, 5.0 v-仅有的 flash 记忆 有组织的 作 2m 字节 的 8 位 各自 或者 1m words
的 16 位 各自. 这 mbm29f160te/是 是 offered 在 一个 48-管脚 tsop (i) package. 这 设备 是 设计 至 是
编写程序 在-系统 和 这 标准 系统 5.0 v v
CC
供应. 12.0 v v
PP
是 不 必需的 为 写 或者 擦掉
行动. 这 设备 能 也 是 reprogrammed 在 标准 非易失存储器 programmers.
这 标准 mbm29f160te/是 提供 进入 时间 的 55 ns, 70 ns 和 90 ns, 准许 运作 的 高-速
微处理器 没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention 这 设备 有 独立的 碎片 使能 (ce
), 写
使能 (我们
), 和 输出 使能 (oe) 控制.
这 mbm29f160te/是 是 管脚 和 command 设置 兼容 和 电子元件工业联合会 标准 e
2
proms. commands 是
写 至 这 command 寄存器 使用 标准 微处理器 写 timings. 寄存器 内容 提供 作 输入
至 一个 内部的 状态-机器 这个 控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 写 循环 也 内部 获得
地址 和 数据 需要 为 这 程序编制 和 擦掉 行动. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的
至 读 从 12.0 v flash 或者 非易失存储器 设备.
(持续)
■
产品 线条 向上
■
PACK一个GES
部分 非. mbm29f160te/160be
订货 部分 非.
V
CC
= 5.0 v
±
5% -55 — —
V
CC
= 5.0 v
±
10% — -70 -90
最大值 地址 进入 时间 (ns) 55 70 90
最大值 ce
进入 时间 (ns) 55 70 90
最大值 oe
进入 时间 (ns) 30 30 40
48-管脚 塑料 tsop (i)
标记 一侧
标记 一侧
(fpt-48p-m19)
(fpt-48p-m20)
: 点此下载
