(持续)
4 megabit
(512k x 8)
5-volt 仅有的
cmos flash
记忆
初步的
特性
•
单独的 电压 运作
- 5v 读
- 5v reprogramming
•
快 读 进入 时间 - 90 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
16k 字节 激励 块 和 lockout
•
快 擦掉 循环 时间 - 10 秒
•
字节 用 字节 程序编制 - 50
µ
s/字节
•
硬件 数据 保护
•
数据 polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
- 50 毫安 起作用的 电流
- 100
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a18 地址
CE 碎片 使能
OE 输出 使能
我们 写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
这 at49f040 是 一个 5-volt-仅有的 在-系统 flash 记忆. 它的 4 megabits 的 记忆 是
有组织的 作 524,288 words 用 8 位. 制造的 和 atmel’s 先进的 nonvola-
tile cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间 至 90 ns 和 电源 消耗
的 just 275 mw 在 这 商业的 温度 范围. 当 这 设备 是 dese-
lected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 100
µ
一个.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这 at49f040 做 不 需要 高
输入 电压 为 程序编制. five-volt-仅有的 commands 决定 这 读 和
程序编制 运作 的 这 设备. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的 至
读 从 一个 非易失存储器. reprogramming 这 at49f040 是 执行 用 erasing
这 全部 4 megabits 的 记忆 和 然后 程序编制 在 一个 字节 用 字节 基准. 这
字节 程序编制 时间 是 一个 快 50
µ
s. 这 终止 的 一个 程序 循环 能 是 optionally
发现 用 这
数据 polling 特性. once 这 终止 的 一个 字节 程序 循环 有 被
发现, 一个 新 进入 为 一个 读 或者 程序 能 begin. 这 典型 号码 的 pro-
gram 和 擦掉 循环 是 在 excess 的 10,000 循环.
描述
AT49F040
tsop 顶 视图
类型 1
plcc 顶 视图
0359C
插件 顶 视图
AT49F040
4-209
: 点此下载
