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mrf18090a mrf18090as
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
n–channel enhancement–mode lateral mosfets
设计为 gsm 和 边缘 根基 station 产品 和 发生率 从
1.8 至 2.0 ghz. 合适的 为 fm, tdma, cdma 和 multicarrier 放大器
产品. 至 是 使用 在 类 ab 为 gsm 和 边缘 cellular 无线电
产品.
•
gsm 和 边缘 performances, 全部 频率 带宽
电源 增益 — 13.5 db (典型值) @ 90 watts (cw)
效率 — 52% (典型值) @ 90 watts (cw)
•
内部 matched, 控制 q, 为 使容易 的 使用
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 26 vdc, 90 watts (cw) 输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 large–signal 阻抗 参数
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
+15
,
–0.5 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
250
1.43
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +200
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 2 (最小)
机器 模型 m3 (最小)
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.7
°
c/w
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf18090a/d
半导体 技术的 数据
1.80 – 1.88 ghz, 90 w, 26 v
lateral n–channel
rf 电源 mosfets
情况 465b–03, 样式 1
(ni–880)
(mrf18090a)
情况 465c–02, 样式 1
(ni–880s)
(mrf18090as)
motorola, 公司 2002
rev 3
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