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MRF321
motorola rf 设备 数据
这 rf 线条
NPN 硅
RF 电源 晶体管
. . . 设计primarily 为 wideband large–signal 驱动器 和 predriver 放大器
stages 在 200–500 mhz 频率 范围.
•
有保证的 效能 在 400 mhz, 28 vdc
输出 电源 = 10 watts
电源 增益 = 12 db 最小值
效率 = 50% 最小值
•
100% 测试 为 加载 mismatch 在 所有 阶段 angles 和 30:1 vswr
•
金 敷金属 系统 为 高 可靠性
•
computer–controlled wirebonding 给 consistent 输入 阻抗
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
33 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
60 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
4.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的
集电级 电流— 顶峰
I
C
1.1
1.5
模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
27
160
Watts
mw/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
6.4
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 20 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
33 — — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 20 madc, v
是
= 0)
V
(br)ces
60 — — Vdc
collector–base 损坏 电压
(i
C
= 20 madc, i
E
= 0)
V
(br)cbo
60 — — Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 2.0 madc, i
C
= 0)
V
(br)ebo
4.0 — — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 30 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
— — 1.0 mAdc
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 500 毫安, v
CE
= 5.0 vdc)
h
FE
20 — 80 —
便条: (持续)
1. 这个设备 是 设计 为 rf 运作. 这总的 设备 消耗 比率 应用 仅有的 当 这 设备 是 运作 作 一个 rf 放大器.
顺序 这个 文档
用 mrf321/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF321
10 w, 400 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
情况 244–04, 样式 1
motorola, 公司 1994
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