IRF3710
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
01/17/02
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.75
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 62
热的 阻抗
www.irf.com 1
V
DSS
= 100v
R
ds(在)
= 23m
Ω
I
D
= 57a
S
D
G
至-220ab
先进的 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际的 整流器 utilize
先进的 处理 技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗
每 硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好 知道
为, 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为
使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 至-220 包装 是 universally preferred 为 所有 商业的-工业的
产品 在 电源 消耗 水平 至 大概 50 watts. 这 低
热的 阻抗 和 低 包装 费用 的 这 至-220 contribute 至 它的 宽
acceptance 全部地 这 工业.
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
动态 dv/dt 比率
175
°
c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
描述
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 57
I
D
@ t
C
= 100
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 40 一个
I
DM
搏动 流 电流
230
P
D
@T
C
= 25
°
C 电源 消耗 200 W
直线的 减额 因素 1.3 w/
°
C
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
I
AR
avalanche 电流
28 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
20 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.8 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°
C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 srew 10 lbf
•
在 (1.1n
•
m)
pd - 91309a