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02/13/02
IRF6217
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
参数 最大值 单位
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v -0.7
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v -0.5 一个
I
DM
搏动 流 电流
-5.0
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗
2.5 W
直线的 减额 因素 0.02 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt 4.5 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
注释
通过
是 在 页 8
pd - 94359
所以-8
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
-150v 2.4
ΩΩ
ΩΩ
Ω
@V
GS
=-10v -0.7a
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JL
接合面-至-流 含铅的
–––
20
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
50
°
c/w
热的 阻抗
重置 转变 为 起作用的 clamp 重置
直流 至 直流 转换器
益处
产品
低 门 至 流 承担 至 减少
切换 losses
全部地 典型 电容 包含
有效的 c
OSS
至 使简化 设计 (看
app. 便条 an1001)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
顶 view
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D
D
DG
S
一个
D
S
S
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