HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd -91859
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用
在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 特性 和
多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧.
电源 消耗 的 更好 比 0.8w 是 可能 在
一个 典型 pcb 挂载 应用.
2/24/99
描述
一代 v 技术
过激 低 在-阻抗
双 p-频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
动态 dv/dt 比率
快 切换
所以-8
V
DSS
= -55v
R
ds(在)
= 0.105
Ω
IRF7342
www.irf.com 1
参数 最大值 单位
V
DS
流- 源 电压 -55 V
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v -3.4
I
D
@ t
C
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v -2.7 一个
I
DM
搏动 流 电流
-27
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 2.0
P
D
@T
C
= 70°c 电源 消耗 1.3
直线的 减额 因素 0.016 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
V
GSM
门-至-源 电压 单独的 脉冲波 tp<10µs 30 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
114
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
––– 62.5 °c/w
热的 阻抗
绝对 最大 比率
W
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
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1
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