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n-频道 场效应晶体管
p-频道 场效应晶体管
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顶 视图
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HEXFET
®
电源 场效应晶体管
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者
和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用
在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 特性 和
多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧.
12/8/98
所以-8
一代 v 技术
过激 低 在-阻抗
complimentary half 桥
表面 挂载
全部地 avalanche 评估
IRF7379
描述
n-ch p-ch
V
DSS
30V -30v
R
ds(在)
0.045
Ω
0.090
Ω
www.irf.com 1
参数
单位
一个
绝对 最大 比率
热的 阻抗 比率
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
50
°c/w
最大值
n-频道 p-频道
V
SD
流-至-源 电压 30 -30
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 5.8 -4.3
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 4.6 -3.4
I
DM
搏动 流 电流
46 -34
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 2.5 W
直线的 减额 因素 0.02 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 -5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面和存储温度范围 -55 至 + 150 °C
pd - 91625
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