HEXFET
®
电源 场效应晶体管
描述
08/09/01
www.irf.com 1
IRF7350
所以-8
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JL
接合面-至-流 含铅的 ––– 20
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
62.5
°
c/w
热的 阻抗
n-ch p-ch
V
DSS
100V -100v
R
ds(在)
0.21
Ω
0.48
Ω
D1
n-频道 场效应晶体管
p-频道 场效应晶体管
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
这些 双 n 和 p 频道 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际的
整流器 utilize 先进的 处理 技巧 至 达到 极其 低
在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换
速 和 加固 设备 设计 那 hexfet
®
电源 mosfets 是
好 知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的
设备 为 使用 在 直流 发动机 驱动 和 加载 管理 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized 引线框架 为 增强
热的 特性 和 多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性
的 电源 产品. 和 这些 改进, 多样的 设备 能 是
使用 在 一个 应用 和 dramatically 减少 板 空间. 这 包装
是 设计 为 vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧.
过激 低 在-阻抗
双 n 和 p 频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 和 卷轴
参数
单位
一个
绝对 最大 比率
最大值
n-频道 p-频道
V
DS
流-至-源 电压 100 -100
I
D
@ t
一个
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 2.1 -1.5
I
D
@ t
一个
= 70
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 1.7 -1.2
I
DM
搏动 流 电流
8.4 -6.0
P
D
@T
一个
= 25
°
C 电源 消耗 2.0 W
直线的 减额 因素 0.016 w/
°
C
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
35 51 mJ
V
GS
门-至-源电压 ± 20 ± 20 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
4.0 4.3 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围
-55 至 + 150
°
C
pd - 94226b
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