HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 93894a
HEXFET
®
电源 mosfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到 ex-
tremely 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
联合的 和 这 加固 设备 设计 , 那 inter-
国家的 整流器 是 好 知道 为,
提供 这 de-
signer 和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备
为 使用 在 电池 和 加载 管理.
这 tssop-8 包装, 有 45% 较少 footprint 范围 比
这 标准 所以-8. 这个 制造 这 tssop-8 一个 完美的
设备 为 产品 在哪里 打印 电路 板 空间
是 在 一个 premium.
这 低 profile (<1.1mm) 的 这 tssop-8 将 准许 它 至 合适
容易地 在 极其 薄的 应用 环境 此类
作 可携带的 electronics 和 pcmcia cards.
IRF7700
描述
过激 低 在-阻抗
p-频道 场效应晶体管
非常 小 soic 包装
低 profile (< 1.1mm)
有 在 录音带 &放大; 卷轴
tssop-8
参数 最大值 单位
V
DS
流- 源 电压 -20 V
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v ±8.6
I
D
@ t
C
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -4.5v ±6.8 一个
I
DM
搏动 流 电流
±68
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 1.5
P
D
@T
C
= 70°c 电源 消耗 0.96
直线的 减额 因素 0.01 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 12 V
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
83 °c/w
热的 阻抗
绝对 最大 比率
W
www.irf.com 1
6/19/00
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
-20v
0.015@v
GS
= -4.5v -8.6a
0.024@v
GS
= -2.5v -7.3a
4 = G
3 = S
2 = S
1 = D
1
2
3
4
G
D
S
5
6
7
8
8 = D
7 = S
6 = S
5 = D
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