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12/16/99
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptible 电源 供应
高 速 电源 切换
益处
产品
低 门 承担 qg 结果 在 简单的
驱动 必要条件
改进 门, avalanche 和 动态
dv/dt 强壮
全部地 典型 电容 和
avalanche 电压 和 电流
有效的 coss 指定 (看 一个 1001)
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
500V 0.85
Ω
8.0a
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
8.0
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
5.1 一个
I
DM
搏动 流 电流
32
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 125 W
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 3.1
直线的 减额 因素 1.0 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
注释
通过
是 在 页 10
典型 smps topologies
二 晶体管 向前
haft 桥
全部 桥
IRF840AS
IRF840AL
D
2
Pak
IRF840AS
至-262
IRF840AL
pd- 91901b