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mrf891 mrf891s
motorola rf 设备 数据
这 rf 线条
NPN 硅
RF 电源 晶体管
. . . 设计为 24 voltuhf large–signal, common–emitter 放大器 applica-
tionsin industrial 一个nd commercial fm equipment operating in the range of
800–960 mhz.
•
指定 24 volt, 900 mhz 特性
输出 电源 = 5.0 watts
电源 增益 = 9.0 db 最小值
效率 = 50% 最小值
•
序列 相等的 large–signal 描绘
•
有能力 的 承受 20:1 vswr 加载 mismatch 在 评估 输出
电源 和 供应 电压
•
金 metallized, 发射级 ballasted 为 长 生命 和 阻抗 至 metal
Migration
•
硅 渗氮 钝化的
•
电路 板 photomaster 有 在之上 要求 用 contacting
rf tactical 营销 在 phoenix, az.
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
30 Vdc
collector–emitter 电压 V
CES
55 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
4.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
0.6 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 50
°
c (1)
减额 在之上 50
°
C
P
D
18
0.143
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 (2) R
θ
JC
7.0
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 20 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
30 — — Vdc
collector–emitter 损坏 电压
(i
C
= 20 madc, v
是
= 0)
V
(br)ces
55 — — Vdc
emitter–base 损坏 电压
(i
E
= 0.5 madc, i
C
= 0)
V
(br)ebo
4.0 — — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 30 vdc, v
是
= 0, t
C
= 25
°
c)
I
CES
— — 1.0 mAdc
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 200 madc, v
CE
= 5.0 vdc)
h
FE
30 — 150 —
注释: (持续)
1. 这个设备 是 设计 为 rf 运作. 这 总的 设备 消耗 比率 应用 仅有的 当 这 设备 是 运作 作一个 rf 放大器.
2. 热的阻抗 是 决定 下面 指定 rf 运行 情况 用 infrared 度量 技巧.
顺序 这个 文档
用 mrf891/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF891
MRF891S
5.0 w, 900 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
情况 319–07, 样式 2
MRF891
情况 319a–02, 样式 2
MRF891S
motorola, 公司 1994
rev 6
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