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mrf9060r1 mrf9060sr1
motorola rf 设备 数据
这 rf sub–micron 场效应晶体管 线条
n–channel enhancement–mode lateral mosfets
设计 f或者 broadband 商业的 和 工业的 产品 和 frequen-
cies 向上至 1.0 ghz. 这 高 增益 和 broadband 效能 的 这些 设备
制造 它们 完美的 为 large–signal, common–source 放大器 产品 在 26
volt 根基 station 设备.
•
典型 two–tone 效能 在 945 mhz, 26 伏特
输出 电源 — 60 watts pep
电源 增益 — 17 db
效率 — 40%
imd — –31 dbc
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 10:1 vswr, @ 26 vdc, 945 mhz, 60 watts cw
输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 large–signal 阻抗 参数
•
在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 32 mm, 13 inch 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
–0.5, +15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C MRF9060R1
减额 在之上 25
°
C
MRF9060SR1
P
D
159
0.91
219
1.25
Watts
w/
°
C
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +200
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 1 (最小)
机器 模型 m1 (最小)
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 MRF9060R1
MRF9060SR1
R
θ
JC
1.1
0.8
°
c/w
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf9060/d
半导体 技术的 数据
945 mhz, 60 w, 26 v
lateral n–channel
BROADBAND
rf 电源 mosfets
情况 360b–05, 样式 1
NI–360
MRF9060R1
情况 360c–05, 样式 1
NI–360S
MRF9060SR1
motorola, 公司 2002
rev 4
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