1
mrf9045mr1 mrf9045mbr1
motorola rf 设备 数据
这 rf sub–micron 场效应晶体管 线条
n–channel enhancement–mode lateral mosfets
设计为 broadband 商业的 和 工业的 产品 和 frequen-
cies 向上至 1.0 ghz. 这 高 增益 和 broadband 效能 的 这些 设备
制造 它们 完美的 为 large–signal, common–source 放大器 产品 在
28 volt 根基 station 设备.
•
典型 效能 在 945 mhz, 28 伏特
输出 电源 — 45 watts pep
电源 增益 — 19 db
效率 — 41% (二 tones)
imd — –31 dbc
•
整体的 静电释放 保护
•
有保证的 强壮 @ 加载 vswr = 5:1, @ 28 vdc, 945 mhz,
45 watts cw 输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 large–signal 阻抗 参数
•
dual–lead boltdown 塑料 包装 能 也 是 使用 作 表面
挂载.
•
to–272 有 在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 44 mm,
13 inch 卷轴.
•
to–270 有 在 录音带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 每 24 mm,
13 inch 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
+15, –0.5 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
177
1.18
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
175
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.85
°
c/w
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 1 (最小)
机器 模型 m2 (最小)
潮气 敏锐的 水平的
测试 methodology 比率
每 jesd 22–a113 3
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf9045mr1/d
半导体 技术的 数据
945 mhz, 45 w, 28 v
lateral n–channel
BROADBAND
rf 电源 mosfets
情况 1265–08, 样式 1
TO–270
塑料
MRF9045MR1
情况 1337–03, 样式 1
to–272 双 含铅的
塑料
MRF9045MBR1
motorola, 公司 2003
rev 6
F
r
e
e
s
c
一个
l
e
S
e
m
i
c
o
n
d
u
c
t
o
r
,
I
freescale 半导体, 公司
为 更多 信息 在 这个 产品,
go 至: www.freescale.com
n
c
.
.
.
: 点此下载
