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IRFB61N15D
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
150V 0.032
Ω
60A
pd- 94207
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 60
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 42 一个
I
DM
搏动 流 电流
250
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 2.4 W
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 330
直线的 减额 因素 2.2 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
3.7 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torqe, 6-32 或者 m3 screw
10 lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
高 频率 直流-直流 转换器
发动机 控制
uninterrutible 电源 供应
益处
产品
低 门-至-流 承担 至 减少
切换 losses
全部地 典型 电容 包含
有效的 c
OSS
至 使简化 设计, (看
app. 便条 an1001)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
至-220ab
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.45
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.50 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 62
热的 阻抗
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