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资料编号:322866
 
资料名称:FDB8870
 
文件大小: 121.09K
   
说明
 
介绍:
N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 160A, 3.9mW
 
 


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©2004 仙童 半导体 公司
九月 2004
fdb8870 rev. a1
FDB8870
FDB8870
n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
30v, 160a, 3.9m
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 有 被 设计 specifically 至
改进 这 整体的 效率 的 直流/直流 转换器 使用
控制者. 它 有 被 优化 为 低 门 承担, 低
r
ds(在)
和 快 切换 速.
产品
直流/直流 转换器
特性
r
ds(在)
= 3.9m
,V
GS
= 10v, i
D
= 35a
r
ds(在)
= 4.4m
,V
GS
= 4.5v, i
D
= 35a
高 效能 trench 技术 为 极其 低
r
ds(在)
低 门 承担
高 电源 和 电流 处理 能力
场效应晶体管 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
包装 标记 和 订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流 至 源 电压 30 V
V
GS
门 至 源 电压
±
20 V
I
D
流 电流
160 一个
持续的(t
C
= 25
o
c, v
GS
= 10V)(便条 1)
持续的(t
C
= 25
o
c, v
GS
= 4.5V)(便条 1) 150 一个
持续的(t
amb
= 25
o
c, v
GS
= 10V, 和 r
θ
JA
= 43
o
c/w) 23 一个
搏动 图示 4 一个
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (便条 2) 300 mJ
P
D
电源 消耗 160 W
减额 在之上 25
o
C 1.07 w/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 175
o
C
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 至-263 0.94
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-263 ( 便条 3) 62
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-263, 1in
2
铜 垫子 范围 43
o
c/w
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDB8870 FDB8870 至-263ab 330mm 24mm 800 单位
D
G
S
至-263ab
fdb 序列
(flange)
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