october 2001
2001 仙童 半导体 公司
fdp6676s/fdb6676s rev. c (w)
fdp6676s / fdb6676s
30v n
-
频道 powertrench
SyncFET
™
一般 描述
这个 场效应晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的 场效应晶体管
和 并行的 肖特基 二极管 在 同步的 直流:直流
电源 供应. 这个 30v 场效应晶体管 是 设计 至
maximize 电源 转换 效率, 供应 一个 低
R
ds(在)
和 低 门 承担. 这 fdp/b6676s
包含 一个 整体的 肖特基 二极管 使用 仙童’s
大而单一的 syncfet 技术. 这 效能 的
这 fdp/b6676s 作 这 低-一侧 转变 在 一个
同步的 整流器 是 indistinguishable 从 这
效能 的 这 fdp/b6676 在 并行的 和 一个
肖特基 二极管.
特性
•
38 一个, 30 v. R
ds(在)
= 6.5 m
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 8.0 m
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
•
包含 syncfet 肖特基 身体 二极管
•
低 门 承担 (40nc 典型)
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
和 快 切换
•
高 电源 和 电流 处理 能力
•
S
G
D
至-220
fdp 序列
D
G
S
至-263ab
fdb 序列
S
G
D
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
16
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1)
76
一个
– 搏动
(便条 1)
150
P
D
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
70
W
减额 在之上 25
°
C
0.56
w/
°
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8” 从 情况 为 5 秒
275
°
C
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
1.8
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
55
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
fdb6676s fdb6676s 13’’ 24mm 800
fdp6676s fdp6676sTube n/一个 45
FDP6676S/FDB6676S
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