二月1999
FDC658P
单独的 p-频道,逻辑 水平的,PowerTrench
TM
场效应晶体管
一般 描述 特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 便条
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 -30 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 ±20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) -4 一个
- 搏动 -20
P
D
最大 电源 消耗(便条 1a) 1.6 W
(便条 1b)
0.8
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 30 °c/w
fdc658p rev.c
这个P-频道 逻辑 水平的 场效应晶体管是生产
使用 仙童 半导体's 先进的
powertrench 处理 那 有 被 特别 tailored
至 降低 这 在-状态 阻抗 和 还 维持
低 门 承担 为 更好的 切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 notebook 计算机
产品:加载 切换 和 电源 管理,
电池 charging 电路,和 直流/直流转换.
-4一个, -30 v. r
ds(在)
= 0.050
Ω
@ v
GS
= -10V
R
ds(在)
= 0.075
Ω
@ v
GS
= -4.5 v.
低 门 承担 (8nc 典型).
高 效能trench 技术为 极其 低
R
ds(在)
.
SuperSOT
TM
-6包装: 小 footprint (72% 小 比
standard 所以-8); low profile (1mm 厚).
soic-16
sot-23
SuperSOT
TM
-8
所以-8
sot-223SuperSOT
TM
-6
D
D
D
S
D
G
supersot -6
TM
.658
管脚
1
3
5
6
4
1
2
3
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