十一月1997
FDC653N
N-频道增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 便条
标识 参数 FDC653N 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 ±20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) 5 一个
- 搏动 15
P
D
最大 电源 消耗(便条 1a) 1.6 W
(便条 1b)
0.8
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 30 °c/w
fdc653n rev.C
这个N-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是生产 使用 仙童's 专卖的, 高 cell
密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度 处理 是
tailored 至 降低 在-状态 阻抗.这些 设备 是
特别 suited 为 低 电压 产品 在 notebook
计算机, 可携带的 phones, pcmica cards, 和其它
电池 powered 电路 在哪里 快切换, 和 低 在-线条
电源 丧失是 需要 在 一个 非常 小 外形 表面 挂载
包装.
5一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.035
Ω
@ v
GS
= 10V
R
ds(在)
= 0.055
Ω
@ v
GS
= 4.5V.
专卖的 supersot
TM
-6 包装 设计 使用 铜
含铅的 框架 为 更好的 热的 和 电的 能力.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
exceptional 在-阻抗 和 最大 直流 电流
能力.
soic-16
sot-23
SuperSOT
TM
-8
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
3
5
6
4
1
2
3
D
D
D
S
D
G
supersot -6
TM
.653
管脚
1
© 1997 仙童 半导体 公司
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