©2004 仙童 半导体 公司
january 2004
fdd107an06la0 rev. a1
FDD107AN06LA0
FDD107AN06LA0
n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
60v, 10a, 107m
Ω
特性
•r
ds(在)
= 92m
Ω
(典型值.), v
GS
= 5v, i
D
= 10a
•Q
g
(tot) = 4.2nc (典型值.), v
GS
= 5v
• 低 miller 承担
•low q
RR
身体 二极管
• uis 能力 (单独的 脉冲波 和 repetitive 脉冲波)
• qualified 至 aec q101
formerly developmental 类型 83524
产品
• 发动机 / 身体 加载 控制
• abs 系统
• powertrain 管理
• injection 系统
• 直流-直流 转换器 和 止-线条 ups
• distributed 电源 architectures 和 电压有效值
• primary 转变 为 12v 和 24v 系统
场效应晶体管 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
这个 产品 有 被 设计 至 满足 这 extreme 测试 情况 和 环境 demanded 用 这 automotive 工业. 为 一个
copy 的 这 (所需的)东西, 看 aec q101 在: http://www.aecouncil.com/
可靠性 数据 能 是 建立 在: http://www.fairchildsemi.com/products/分离的/可靠性/index.html.
所有 仙童 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面 iso9000 和 qs9000 质量 系统
certificatio
n.
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流 至 源 电压 60 V
V
GS
门 至 源 电压
±
20 V
I
D
流 电流
10.9 一个
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 10v)
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 5v) 10 一个
持续的 (t
C
= 100
o
c, v
GS
= 5v) 7.1 一个
持续的 (t
一个
= 25
o
c, v
GS
= 5v, r
θ
JA
= 52
o
c/w) 3.4 一个
搏动 图示 4 一个
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (便条 1) 9 mJ
P
D
电源 消耗 25 W
减额 在之上 25
o
c0.17w/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 175
o
C
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 至-252 6.0
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-252 100
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-252, 1in
2
铜 垫子 范围 52
o
c/w
D
G
S
门
源
流 (flange)
至-252AA
fdd 序列
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