©2005 仙童 半导体 公司
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april 2005
fdn352ap rev. c
fdn352ap 单独的 p-频道, powertrench
®
场效应晶体管
FDN352AP
单独的 p-频道, powertrench
®
场效应晶体管
特性
■
–1.3 一个, –30v R
ds(在)
= 180 m
Ω
@ v
GS
= –10v
–1.1 一个, –30v R
ds(在)
= 300 m
Ω
@ v
GS
= –4.5v
■
高 效能 trench 技术 为 极其 低
R
ds(在)
.
■
高 电源 版本 的 工业 标准 sot-23 包装.
完全同样的 管脚-输出 至 sot-23 和 30% 高等级的 电源 处理
能力.
产品
■
notebook 计算机 电源 管理
一般 描述
这个 p-频道 逻辑 水平的 场效应晶体管 是 生产 使用 fair-
child 半导体 先进的 电源 trench 处理 那 有
被 特别 tailored 至 降低 这 在-状态 阻抗 和
yet 维持 低 门 承担 为 更好的 切换 perfor-
mance.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和 电池 pow-
ered 产品 在哪里 低 在-线条 电源 丧失 是 需要 在 一个
very小 外形 表面 挂载 包装.
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
Package 标记 和 订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –30 V
V
GSS
门-源 电压
±
25 V
I
D
流 电流 – 持续的 (便条 1a) –1.3 一个
– 搏动 –10
P
D
Power 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a) 0.5 W
(便条 1b) 0.46
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a) 250
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 (便条 1) 75
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
52AP FDN352AP 7’’ 8mm 3000 单位
G
supersot™-3
G
S
D
D
G S
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